Mô tả
Dòng cảm biến MPACT “ILI” của Gefran, là bộ truyền áp suất, không có chất lỏng truyền dẫn, để sử dụng trong môi trường quy trình nhiệt độ cao (lên đến 350 ° C).
Áp suất được truyền bởi cấu trúc silicon được gia công vi mô (MEMS) và nguyên tắc hoạt động là “piezoresistive”.
Bộ phát “Thông minh” với đầu ra IO-Link này đã sẵn sàng cho các yêu cầu của “Công nghiệp 4.0”
ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA ILI IMPACT
| Accuracy (1) | H <±0.25%FS (100…1000 bar) M <±0.5%FS (10…1000 bar) |
| Resolution | 16 Bit |
| Measurement range | 0..10 to 0..1000bar 0..150 to 0..15000ps |
| Maximum overpressure (without degrading performances) | 1.5 x FS (up to 1200 bar/ 17400 psi max) |
| Measurement principle | Piezoresistive |
| Power supply | 18-30 Vdc |
| Maximum current absorption (*) | 1 W (1.2 W with optional relay) |
| Zero offset | ± 0.25% FS |
| Zero adjustment | “Autozero” function (via IO-Link) |
| Communication interface | IO-Link |
| Cycle time | 2 msec |
| IO-Link version | 1.1 |
| Transmission type | COM2 (38.4 kBaud) |
| Profile | Smart sensor generic profile |
| SIO Mode | Yes |
| Required class for Master port | A |
| Pressure process data resolution | 14 bit |
| Temperature process data resolution (opt.) | 16 bit |
| Rangeability | 3:1 (analogue output opt.) |
| Calibration signal | 80% FS |
| Supply reverse polarity protection | Yes |
| Compensed temperature range housing | 0…+85°C |
| Operating temperature range housing | -30…+85°C |
| Storage temperature range housing | -40…+125°C |
| Maximum diaphragm temperature | 350°C / 660°F |
| Zero drift on process temp. 20 to 350°C | < ± 1.2%FS |
| Span drift on process temp. 20 to 350°C | < ± 1%FS |
| Std contact diaphragm with process | 15-5 PH GTP+ |
| Integral temperature (optional) | Accuracy ± 2 °C |
| Protection degree (with 5-pole female connector) | IP65 (with suitable mating connector) |
FS = Full Scale (1) BFSL method (Best Fit Straight Line): includes combined effects of Non-Linearity, Hysteresis and Repeatability (acc. to IEC 62828-2).
(*) does not take into account absorption on DO in SIO mode (limited to 200mA)
